OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
激光二极管
其他题名激光二极管
横山弘之; 河野俊介; 大木智之; 池田昌夫; 宫嶋孝夫; 渡边秀辉
2014-07-09
专利权人索尼株式会社
公开日期2014-07-09
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中,通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下,并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
其他摘要本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中,通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下,并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
申请日期2009-07-29
专利号CN102403650B
专利状态失效
申请号CN201110369269.3
公开(公告)号CN102403650B
IPC 分类号H01S5/062
专利代理人武玉琴 | 陈桂香
代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91118
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
横山弘之,河野俊介,大木智之,等. 激光二极管. CN102403650B[P]. 2014-07-09.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN102403650B.PDF(1098KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[横山弘之]的文章
[河野俊介]的文章
[大木智之]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[横山弘之]的文章
[河野俊介]的文章
[大木智之]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[横山弘之]的文章
[河野俊介]的文章
[大木智之]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。