用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法

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	用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法
其他题名	用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法
	田爱琴; 刘建平; 池田昌夫; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
	2017-05-31
专利权人	杭州增益光电科技有限公司
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层，其包括：衬底；在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上的不掺杂的u型GaN层；在所述u型GaN层上的p型AlGaN厚层；在所述p型AlGaN厚层上的Al组分渐变的p型AlGaN层；在所述Al组分渐变的p型AlGaN层上的重掺杂的p型GaN层。本发明还公开一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层的制备方法。本发明采用Al组分渐变的p型AlGaN层和重掺杂的p型GaN层作为欧姆接触层的I‑V曲线具有良好的线性关系，在获得良好的欧姆接触性能的同时，消除了p型AlGaN厚层与重掺杂的p型GaN层之间的极化电荷，从而在进行霍尔测试时，获得准确的测试结果。
其他摘要	本发明公开了一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层，其包括：衬底；在所述衬底上的缓冲层；在所述缓冲层上的不掺杂的u型GaN层；在所述u型GaN层上的p型AlGaN厚层；在所述p型AlGaN厚层上的Al组分渐变的p型AlGaN层；在所述Al组分渐变的p型AlGaN层上的重掺杂的p型GaN层。本发明还公开一种用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层的制备方法。本发明采用Al组分渐变的p型AlGaN层和重掺杂的p型GaN层作为欧姆接触层的I‑V曲线具有良好的线性关系，在获得良好的欧姆接触性能的同时，消除了p型AlGaN厚层与重掺杂的p型GaN层之间的极化电荷，从而在进行霍尔测试时，获得准确的测试结果。
申请日期	2016-09-29
专利号	CN106783978A
专利状态	申请中
申请号	CN201610864320.0
公开（公告）号	CN106783978A
IPC 分类号	H01L29/45 \| H01L21/285 \| H01S5/323 \| G01R27/08
专利代理人	孙伟峰 \| 武岑飞
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92075
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	杭州增益光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	田爱琴,刘建平,池田昌夫,等. 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法. CN106783978A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106783978A.PDF（94KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文