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半導体レーザ装置組立体 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP6337983B2, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-06-06
发明人:  河野 俊介;  倉本 大;  幸田 倫太郎
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光源システム及び車両用灯具 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2018049916A, 申请日期: 2018-03-29, 公开日期: 2018-03-29
发明人:  倉本 大
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半導體雷射，製造半導體元件，光學讀取頭及光碟裝置之方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TWI373895B, 申请日期: 2012-10-01, 公开日期: 2012-10-01
发明人:  倉本大
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半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010153429A, 申请日期: 2010-07-08, 公开日期: 2010-07-08
发明人:  太田 誠;  横山 弘之;  倉本 大;  池田 昌夫
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半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010153430A, 申请日期: 2010-07-08, 公开日期: 2010-07-08
发明人:  太田 誠;  横山 弘之;  倉本 大;  池田 昌夫
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010114202A, 申请日期: 2010-05-20, 公开日期: 2010-05-20
发明人:  川西 秀和;  倉本 大;  安齋 信一;  庄司 美和子;  谷口 学
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端面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010034221A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12
发明人:  倉本 大
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窒化物系化合物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3338778B2, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-10-28
发明人:  倉本 大
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化合物半導体装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340892A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  倉本 大
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窒化物系化合物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000294883A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
发明人:  倉本 大
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