半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ

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	半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ
其他题名	半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ
	太田誠; 横山弘之; 倉本大; 池田昌夫
	2010-07-08
专利权人	SONY CORP
公开日期	2010-07-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。【解決手段】クラッド層にリッジストライプ11を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ11の両側面およびリッジストライプ11の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜14を設ける。電流狭窄用絶縁膜14のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ11の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ11の両側の底面に高屈折率絶縁膜14aを形成する。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器，其能够执行足够强大的自脉冲操作，而不会使远场图像的形状变差并且稳定地获得低噪声激光，并且易于制造。 ŽSOLUTION：在包层中具有脊条11的半导体激光器在脊条11的两个侧表面上设置有用于电流收缩的绝缘膜14，并且在脊条11的两侧的底表面上延伸有绝缘膜14。图14所示的电流收缩包含高折射率绝缘体，其折射率高于脊形条11的一部分处的激光器结构的等效折射率，在除了两个谐振器端面附近的部分之外的部分。例如，在脊条11的两侧的底表面上形成高折射率绝缘膜14a。
主权项	-
申请日期	2008-12-24
专利号	JP2010153429A
专利状态	失效
申请号	JP2008327172
公开（公告）号	JP2010153429A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/22 \| G11B7/22 \| H01S5/323
专利代理人	森幸一 \| 逢坂宏 \| 松村修
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61543
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	太田誠,横山弘之,倉本大,等. 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ. JP2010153429A[P]. 2010-07-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010153429A.PDF（123KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文