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| 一种近高斯型掺铒超荧光光纤光源 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN108631146A, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2018-10-09 发明人: 杨柳; 郝义龙; 张勇刚; 张恩康; 郜中星
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| 用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102540475B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22 发明人: 李耀耀; 李爱珍; 张永刚; 丁惠凤; 李好斯白音; 曹远迎
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| 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 发明人: 顾溢; 张永刚; 王庶民
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| GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103368073A, 申请日期: 2013-10-23, 公开日期: 2013-10-23 发明人: 王庶民; 顾溢; 张永刚; 宋禹忻; 叶虹
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| 基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN101811659B, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2013-08-28 发明人: 张永刚; 顾溢
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| 一种微型宽脉冲范围双波长光感基因刺激装置 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102151367B, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2013-04-24 发明人: 张永刚; 顾溢
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| 一种中红外激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102593718A, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 李耀耀; 李爱珍; 张永刚; 丁惠凤; 李好斯白音
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| 使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN101741011B, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2011-05-04 发明人: 李耀耀; 张永刚; 李爱珍
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| 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02 发明人: 顾溢; 张永刚
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| 基于半导体激光器跳模特性的气体测量方法及其传感器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1995973B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07 发明人: 张永刚; 李爱珍; 齐鸣; 封松林
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