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光レジスタメモリ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2793381B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03
发明人:  津田 裕之;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行
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出力波長可変型光レジスタメモリ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2793382B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03
发明人:  津田 裕之;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行
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短パルス発生用レ—ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2510348B2, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-06-26
发明人:  渡部 仁貴;  岩村 英俊;  山本 喜久;  蒋 文斌
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双安定半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995038195A, 申请日期: 1995-02-07, 公开日期: 1995-02-07
发明人:  植之原 裕行;  高橋 亮;  河村 裕一;  岩村 英俊
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光制御パルスレーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994061586A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
发明人:  野中 弘二;  宮澤 丈夫;  黒川 隆志;  岩村 英俊
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垂直共振器型双安定半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994029625A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04
发明人:  植之原 裕行;  岩村 英俊
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双安定半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994021571A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
发明人:  植之原 裕行;  岩村 英俊;  野中 弘二;  津田 裕之;  黒川 隆志
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光入力形半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993335691A, 申请日期: 1993-12-17, 公开日期: 1993-12-17
发明人:  野中 弘二;  黒川 隆志;  津田 裕之;  岩村 英俊
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光素子の駆動方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993232522A, 申请日期: 1993-09-10, 公开日期: 1993-09-10
发明人:  河村 裕一;  浅井 裕充;  岩村 英俊
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面型光双安定レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993121830A, 申请日期: 1993-05-18, 公开日期: 1993-05-18
发明人:  小濱 剛孝;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行
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