Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光入力形半導体レーザ | |
| 其他题名 | 光入力形半導体レーザ |
| 野中 弘二; 黒川 隆志; 津田 裕之; 岩村 英俊 | |
| 1993-12-17 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 入射する光信号との高い光結合率と、入射した光信号を単一モード条件のままでの充分な増幅率と、充分な発振制御領域とを有することを目的とする。 【構成】 制御のための光信号は、テーパ導波路1で単一モード条件のまま少ない電流注入で充分に増幅され、可飽和吸収領域3の長さと同じにまでその幅が広げられ、可飽和吸収領域3を均一に励起する。 |
| 其他摘要 | 目的：提高标题激光器对光纤等的光耦合效率，通过在相同的单光模式下充分放大光后使输入信号光入射到振荡连接区域，引入控制光信号。通过锥形光放大波导加宽光的宽度。组成：由于使用锥形波导部分1，使其信号发光部分比其信号光入射部分更宽，波导的总面积不会增加太多，但可以获得所需的载流子密度抵抗少量浪涌电流。由于入射光信号在满足单模条件的同时到达可饱和吸收区域3，因此可以均匀地激发作为放大入射光的到达点并且具有10μm宽度的区域3，并且可以获得大的效果。另外，由于光信号的光强度增加，波导的宽度变宽并且光子密度保持在其极限以下，因此可以获得强的总光强度而对饱和光强度没有任何限制。 |
| 申请日期 | 1992-05-28 |
| 专利号 | JP1993335691A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992160030 |
| 公开（公告）号 | JP1993335691A |
| IPC 分类号 | H01S3/06 | H01S3/094 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86956 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野中 弘二,黒川 隆志,津田 裕之,等. 光入力形半導体レーザ. JP1993335691A[P]. 1993-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993335691A.PDF（48KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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