短パルス発生用レ—ザ装置

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	短パルス発生用レ—ザ装置
其他题名	短パルス発生用レ—ザ装置
	渡部仁貴; 岩村英俊; 山本喜久; 蒋文斌
	1996-04-16
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1996-06-26
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To provide a short-pulse laser with high average output by furnishing an external resonator with a mode-locked surface-emission semiconductor laser, as an amplification medium, which emits light in the crystal growth direction. CONSTITUTION:An optical isolator 1 serves to prevent the reflection of pumping light from entering a laser. The pumping light 2 is a series of mode-locked pulses. A dichroic mirror 3 reflects the pumping light but transmits laser light. An external resonator is formed of a terminal reflector 4, transparent to signal light and reflecting laser light, and a gold-coated face of a semiconductor for amplification medium 5, the other face of which has reflective coating. A lens 6 converges light onto the semiconductor 5. In the above optical system, the pumping device is a mode-locked Nd YAG laser, and the semiconductor laser medium is a multiple quantum well InGaAs semiconductor.
其他摘要	目的：通过提供具有锁模表面发射半导体激光器的外部谐振器作为放大介质，提供具有高平均输出的短脉冲激光，其在晶体生长方向上发光。组成：光隔离器1用于防止泵浦光反射进入激光器。泵浦光2是一系列锁模脉冲。二向色镜3反射泵浦光但透射激光。外部谐振器由对信号光和反射激光透明的末端反射器4和用于放大介质5的半导体的镀金面形成，其另一面具有反射涂层。透镜6将光会聚到半导体5上。在上述光学系统中，泵浦装置是锁模Nd YAG激光器，半导体激光介质是多量子阱InGaAs半导体。
申请日期	1990-10-12
专利号	JP2510348B2
专利状态	失效
申请号	JP1990272368
公开（公告）号	JP2510348B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	杉村暁秀 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47623
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	渡部仁貴,岩村英俊,山本喜久,等. 短パルス発生用レ—ザ装置. JP2510348B2[P]. 1996-04-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2510348B2.PDF（55KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文