Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光素子の駆動方法 | |
| 其他题名 | 光素子の駆動方法 |
| 河村 裕一; 浅井 裕充; 岩村 英俊 | |
| 1993-09-10 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】本発明は、共鳴トンネル型光素子において超高速動作が可能な光素子の駆動方法を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、n形InGaAs層7,InGaAs/InAlAsMQW層8,及びn形InGaAs電極層9を順次積層した構造の共鳴トンネル型負性抵抗素子と、n形InAlAsクラッド層3,アンドープInGaAs/InAlAsMQW層4,p形InAlAsクラッド層5,及びp形InGaAs電極層6を順次積層した構造の光変調素子を直列接続したことを特徴とする光素子において、共鳴トンネル型負性抵抗素子の負性抵抗特性を、この共鳴トンネル型負性抵抗素子の量子井戸の量子準位間のエネルギー差に共鳴する光で制御する。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种驱动能够在共振隧道光学装置中进行超高速操作的光学装置的方法。 共振隧穿负电阻元件具有n型InGaAs层7，InGaAs / InAlAs MQW层8和n型InGaAs电极层9依次层叠的结构，n型InAlAs包层3，未掺杂的InGaAs。在一种光学元件中，其特征在于，顺序堆叠InAlAsMQW层4，p型InAlAs包层5和p型InGaAs电极层6的结构的光调制元件串联连接，共振隧穿负电阻元件的负极通过与该共振隧穿负电阻元件的量子阱的量子能级之间的能量共振的光来控制性电阻特性。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1992-02-18 |
| 专利号 | JP1993232522A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992030828 |
| 公开（公告）号 | JP1993232522A |
| IPC 分类号 | H01S | G02F | G02F1/35 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67140 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河村 裕一,浅井 裕充,岩村 英俊. 光素子の駆動方法. JP1993232522A[P]. 1993-09-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993232522A.PDF（158KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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