Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 双安定半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 双安定半導体レーザおよびその製造方法 |
| 植之原 裕行; 高橋 亮; 河村 裕一; 岩村 英俊 | |
| 1995-02-07 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1995-02-07 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 活性層として多重量子井戸構造を有する双安定半導体レーザにおいて、吸収飽和の回復時間を10ピコ秒より短くすることにより、数10ギガヘルツの繰り返し動作を実現する。 【構成】 可飽和吸収領域を通常行われている結晶成長温度よりも低温(150℃〜400℃)で成長することにより形成し、また可飽和吸収領域の成長後に通常の成長温度程度でアニールするか、あるいは可飽和吸収領域の成長中にp型元素またはBeを導入する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过使用多量子阱层，可以进行高速设置和复位，并可以在几十千兆赫的频率下进行重复操作，多量子阱层在低于晶体生长温度的特定温度下生长在普通方法中，作为可饱和吸收区域。组成：双稳态激光器部件10由增益区域中的p侧电极1，可饱和吸收区域中的p侧电极2，p-InGaAs盖层3，p型InP包层4， MQM波导层5包括InGaAs阱层，或InGaAsP或InP阻挡层，n型InP覆盖层6，n型InP衬底7，n侧电极8和可饱和吸收区域9。时间，激光部分的晶体生长在普通衬底温度下进行。与激光部分相比，可饱和吸收区9的生长在相当低的温度下进行，即150-400℃。因此，可以实现几十千兆赫的重复操作。 |
| 申请日期 | 1993-07-21 |
| 专利号 | JP1995038195A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993180521 |
| 公开（公告）号 | JP1995038195A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89426 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植之原 裕行,高橋 亮,河村 裕一,等. 双安定半導体レーザおよびその製造方法. JP1995038195A[P]. 1995-02-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995038195A.PDF（49KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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