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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4625998B2, 申请日期: 2010-11-19, 公开日期: 2011-02-02
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
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窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4043087B2, 申请日期: 2007-11-22, 公开日期: 2008-02-06
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
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端面発光型発光ダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000332291A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
发明人:  小崎 徳也
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窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000232239A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
发明人:  小崎 徳也
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999191637A, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13
发明人:  中村 修二;  清久 裕之;  小崎 徳也;  岩佐 成人
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窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998256662A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
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窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997116232A, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-05-02
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
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