窒化物半導体素子

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	窒化物半導体素子
其他题名	窒化物半導体素子
	中村修二; 清久裕之; 小崎徳也; 岩佐成人
	1999-07-13
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	1999-07-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】結晶欠陥の少ない窒化物半導体を下地層として用い、例えばレーザ素子、LED素子、受光素子等に使用できる高効率で信頼性の高い窒化物半導体素子を実現する。【構成】結晶欠陥が少ない領域と、結晶欠陥が多い領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層に、活性層を含む窒化物半導体層が成長されており、結晶欠陥が少ない領域の下地層上部に成長された活性層の面積が、結晶欠陥が多い領域の下地層上部に成長された活性層の面積よりも大きい。または結晶欠陥が多い領域と、結晶欠陥が少ない領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層上部にレーザ発振領域を有しており、そのレーザ発振領域は結晶欠陥が少ない下地層上部に設けられている。これらの構成により結晶欠陥が活性領域に転位しないので長寿命な素子が得られる。
其他摘要	要解决的问题：为了实现高效率和高可靠性的氮化物半导体器件，能够用于激光元件，发光二极管（LED）元件，光接收元件等，例如，一种方法，其中使用具有很少晶体缺陷的氮化物半导体层作为基层。解决方案：在该元件中，在基层50上生长包括有源层52的氮化物半导体层，基层50具有晶体检测少的区域和具有许多晶体缺陷并由氮化物半导体层构成的区域，并且在层50的上部上生长在具有很少晶体缺陷的区域上的有源层52形成得比在该区域上生长的有源层的有源层宽，其在上部具有许多晶体缺陷。或者，该元件在基层50的上部具有激光振荡区域，该区域具有许多晶体缺陷的区域和具有很少晶体缺陷并且由氮化物半导体层构成的区域，以及激光振荡区域。在该区域上提供了在层50的上部具有很少晶体缺陷的区域。由于这些构造，由于晶体缺陷不会转变为元件的有源区域，因此长寿命元件得到了。
申请日期	1998-05-11
专利号	JP1999191637A
专利状态	失效
申请号	JP1998126989
公开（公告）号	JP1999191637A
IPC 分类号	B62D33/06 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/026 \| H01L33/06 \| B62D49/00 \| B62D25/08 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83858
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中村修二,清久裕之,小崎徳也,等. 窒化物半導体素子. JP1999191637A[P]. 1999-07-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999191637A.PDF（184KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文