Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法 |
| 小崎 徳也; 中村 修二 | |
| 1997-05-02 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 1997-05-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 基板上に窒化物半導体がLDの構造となるように積層されたウェーハから、窒化物半導体の共振器の作製方法を提供して、レーザ発振可能なレーザ素子を実現する。 【構成】 スピネル基板上に窒化物半導体を積層した後、その基板を切断して、その切断面を共振器とすることにより、共振器面の凹凸が少なく、窒化物半導体層の割れ、欠けの少ないレーザ素子を得る。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过构成尖晶石的基板，并且制造其中层压在基板上的氮化物半导体晶片被切掉的部分的谐振器，以防止产生不均匀，破裂和断裂。解决方案：生长N型接触层2，N型覆层3，N型光导层4，有源层5，P型光导层6和P型覆层7在层7上形成保护层，在该保护层上生长N型电流阻挡层8和P型接触层9。含有Ni和Au的正极几乎形成在P型接触层9的中心。在N型接触层2的表面上形成含有Ti和AQ的条形负极。在条形电极上进行划线，将晶片在该方向上分割的面制成谐振器。由于尖晶石的晶体比蓝宝石更柔软，因此工作很容易。可以防止产生切断芯片的谐振表面的氮化物半导体层的不均匀，破裂和断裂。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1995-10-24 |
| 专利号 | JP1997116232A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995275220 |
| 公开（公告）号 | JP1997116232A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01S5/343 | H01L33/16 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01L33/22 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67116 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎 徳也,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子及びその共振器の作製方法. JP1997116232A[P]. 1997-05-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997116232A.PDF（150KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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