窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

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	窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
其他题名	窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
	小崎徳也
	2000-08-22
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	2000-08-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】保護膜上部に限らず窓部の結晶欠陥の転位を減少させ、且つ保護膜上部で隣接するGaN同士の接合の際に空隙の生じない窒化物半導体の成長方法、及び前記方法により得られる窒化物半導体を基板とし寿命特性等の素子性能が良好で、量産性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】成長方法として、基板上に窒化物半導体が成長しにくい材料からなる第1の保護膜を部分的に形成する第1の工程と、この第1の工程後、形成させた第1の保護膜上に第1の窒化物半導体の横方向の成長を利用しながら第1の保護膜の上にまで成長させる第2の工程とを少なくとも有する窒化物半導体の成長方法において、前記第2の工程で第1の窒化物半導体の成長時に、p型不純物、又は、p型不純物及びn型不純物をドープする。素子として前記方法により得られた窒化物半導体を基板としこの上に素子構造を形成する。
其他摘要	要解决的问题：提供氮化物半导体膜的生长方法，其减少窗口部分中的晶体缺陷的位错，而不限制保护膜的上部中的晶体缺陷的位错，并且不产生空隙在保护膜的上部结合彼此相邻的GaN膜时的GaN膜之间，以及使用通过上述方法获得的氮化物半导体膜作为基板的氮化物半导体元件，元件优异性能，例如生活特征，并且具有优异的批量生产率。解决方案：氮化物半导体膜的生长方法至少具有用于部分地形成由难以在基板上生长氮化物半导体膜的材料构成的第一保护膜3的第一工艺;用于在第一工艺之后形成的膜3上生长第一氮化物半导体膜5直到膜3的上部的第二工艺，同时半导体膜5的横向生长被用作氮化物半导体的生长方法电影。在第二工艺中膜5生长时，将P型杂质或P型杂质和N型杂质掺杂到膜5中。通过上述方法获得的氮化物半导体膜5作为元素是用作衬底，在该衬底上形成元件结构。
主权项	-
申请日期	1999-02-16
专利号	JP2000232239A
专利状态	失效
申请号	JP1999037826
公开（公告）号	JP2000232239A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/02 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51242
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小崎徳也. 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子. JP2000232239A[P]. 2000-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000232239A.PDF（104KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文