窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法

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	窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
其他题名	窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
	小崎徳也; 中村修二
	1998-09-25
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	1998-09-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板の製造方法と、窒化物半導体基板を用いた素子の新規な製造方法を提供する。【構成】窒化物半導体と異なる材料よりなる厚さ1mm以上の基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させた後、その基板を除去し、一方窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記基板を除去することによって窒化物半導体基板を作製する第2の工程と、第2の工程後、表面の凹凸差が±1μm以下になるまで窒化物半導体基板表面を研磨する第3の工程と、第3の工程後、窒化物半導体基板の研磨面に新たな窒化物半導体を成長させる第4の工程とを備える。
其他摘要	[目的]提供一种制造由具有良好结晶性的氮化物半导体制成的基板的方法和使用氮化物半导体基板制造元件的新方法。在由不同于氮化物半导体的材料制成的厚度为1mm或更大的基板上生长氮化物半导体至100μm或更大的膜厚度，然后去除基板。在基板上生长氮化物半导体至膜厚度为100μm或更大的第一步骤，以及在第一步骤之后通过去除基板来制造氮化物半导体基板的第二步骤;在第二步骤之后，第三步骤是抛光氮化物半导体衬底的表面直到表面不平坦度差为±1μm或更小，并且在第三步骤之后，在氮化物半导体衬底的抛光表面上的新的氮化物半导体并且b。
主权项	-
申请日期	1997-03-11
专利号	JP1998256662A
专利状态	失效
申请号	JP1997056047
公开（公告）号	JP1998256662A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01L21/02 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/10 \| H01L33/32 \| H01L33/22 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51088
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小崎徳也,中村修二. 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法. JP1998256662A[P]. 1998-09-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998256662A.PDF（34KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文