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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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半导体激光器元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1254893C, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2006-05-03
发明人:  古川佳彦;  岛田诚;  木内章喜;  落合真尚;  妹尾雅之
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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3523700B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26
发明人:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3431389B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-07-28
发明人:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3374737B2, 申请日期: 2002-11-29, 公开日期: 2003-02-10
发明人:  長濱 慎一;  妹尾 雅之;  中村 修二
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半導体レーザ素子及びその形成方法。 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002111128A, 申请日期: 2002-04-12, 公开日期: 2002-04-12
发明人:  妹尾 雅之;  清久 裕之;  松下 俊雄
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3272588B2, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-04-08
发明人:  妹尾 雅之;  長濱 慎一;  中村 修二
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3087831B2, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-09-11
发明人:  妹尾 雅之;  中村 修二
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窒化物半導体の電極 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2950192B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
发明人:  山田 孝夫;  妹尾 雅之
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