Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体の電極 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体の電極 |
| 山田 孝夫; 妹尾 雅之 | |
| 1999-07-09 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 1999-09-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 窒化物半導体と接着力が強い電極を提供するものであり、詳しくは窒化物半導体層に絶縁膜を介して形成された電極の接着力を向上させることにより、窒化物半導体を用いたLED、LD、受光素子等、各種デバイスの信頼性を向上させる。 【構成】 窒化物半導体4と電気的に接続された電極10が絶縁膜5を介して形成されており、絶縁膜5と電極10との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力を有する金属薄膜6が形成されている。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法改善使用氮化物半导体的各种器件，例如LED，LD，光电探测器等，其中提供了与氮化物半导体结合强度高的电极，或更具体地说，通过中间体形成在氮化物半导体上的电极。绝缘膜的粘合强度增强。组成：通过绝缘膜5的中间形成电连接到半导体氮化物4的电极10，并且在绝缘膜5和绝缘膜5之间形成与电极10的结合强度高于绝缘膜5的金属薄膜6。电极10。 |
| 授权日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1995-04-07 |
| 专利号 | JP2950192B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995082428 |
| 公开（公告）号 | JP2950192B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01L | H01L21/28 | H01L33/62 | H01S5/00 | H01L29/43 | H01L33/44 | H01L33/40 | H01L33/30 | H01S5/042 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35077 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,妹尾 雅之. 窒化物半導体の電極. JP2950192B2[P]. 1999-07-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2950192B2.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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