窒化物半導体素子

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	窒化物半導体素子
其他题名	窒化物半導体素子
	妹尾雅之; 中村修二
	2000-07-14
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	2000-09-11
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】基板側より接触抵抗の低い電極を取り出すことができて、さらに放熱性に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】第1の主面と第2の主面とを有する基板の第1の主面側にn型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層とが積層され、第1の主面側にあるそれらの窒化物半導体層に、それぞれオーミック接触用のn電極と、p電極とが設けられており、さらに、基板の第2の主面側には、前記n、pいずれか一方の電極と電気的に接続された第1の電極が、基板の側面と連続して形成されて、その第1の電極が基板の第1の主面側の表面に形成された絶縁膜によって、もう一方の電極と絶縁されている。
其他摘要	要解决的问题：通过在基板的第一主表面侧和第一电极上设置半导体层和n和p电极来降低基板与n电极或p电极之间的接触电阻，连续地从基板的第二主表面和侧面连接并将第一电极连接到n和p电极中的任一个，并通过在第一主表面侧上形成绝缘膜使电极与另一电极绝缘。解决方案：在基板1的第一主表面侧上，形成n型接触层2，n型覆层3，有源层4，p型覆层5和接触层6。在接触层6的几乎整个表面上，形成用于欧姆接触的p型电极11a和连接到电极11a的第二电极11b，并用导电粘合剂31粘附到支撑体30上。形成基板1的第二主表面侧，形成n电极10a和10a'，并且从基板1的第二主表面和侧面连续地形成连接到电极10a和10a'的第一电极10b。电极10b通过形成在基板1的第一主表面上的绝缘膜20与p电极11a和第二电极11b绝缘。
申请日期	1996-11-27
专利号	JP3087831B2
专利状态	失效
申请号	JP1996315816
公开（公告）号	JP3087831B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L33/40 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L31/10 \| H01L33/06 \| H01L33/62 \| H01S5/022 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/44 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88045
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	妹尾雅之,中村修二. 窒化物半導体素子. JP3087831B2[P]. 2000-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3087831B2.PDF（46KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文