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半导体激光元件及使用它的激光模块 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1278464C, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
发明人:  大久保敦;  冈田知;  藤本毅;  小矶武;  室清文;  大久保典雄;  大木泰
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006261706A, 申请日期: 2006-09-28, 公开日期: 2006-09-28
发明人:  藪▲崎▼ 慶一;  大久保 典雄
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3717206B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  大久保 典雄
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3403247B2, 申请日期: 2003-02-28, 公开日期: 2003-05-06
发明人:  伊地知 哲朗;  大久保 典雄
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999126942A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
发明人:  佐々木 康真;  大久保 典雄
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998098237A, 申请日期: 1998-04-14, 公开日期: 1998-04-14
发明人:  大久保 典雄
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998012963A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16
发明人:  大久保 典雄
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リッジ導波路型半導体レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997307184A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
发明人:  大久保 典雄;  粕川 秋彦;  池上 嘉一;  行谷 武
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997219557A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19
发明人:  大久保 典雄
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光電子集積回路素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997213918A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15
发明人:  大久保 典雄
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