Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体装置 | |
其他题名 | 半導体装置 |
藪▲崎▼ 慶一; 大久保 典雄 | |
2006-09-28 | |
专利权人 | 古河電気工業株式会社 |
公开日期 | 2006-09-28 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】半導体装置の加工精度および生産効率を高めること。 【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体基板2の上面に、下側クラッド層3、活性層4、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6が生成されている。また、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6は、エッチングによってリッジ部12をなしている。さらに、半導体基板2の下面に負電極1が生成され、多層膜基板31の上面には導電体層7が生成されている。また、導電体層7は、リッジ部12の側面において少なくとも150nmの厚みを有し、リッジ部12は砂時計形の断面形状を有する。 【選択図】図1 |
其他摘要 | 要解决的问题:提高半导体器件的加工精度和生产率。ŽSOLUTION:半导体激光器件在半导体衬底2的表面上具有下包层3,有源层4,上包层5,接触层9和绝缘膜6.此外,上包层5接触层9和绝缘膜6通过蚀刻形成脊12。另外,在半导体衬底2的下表面上形成负电极1,在多层薄膜衬底31的上表面上形成导电材料层7.此外,导电材料层7的厚度为在脊12的侧面处的至少150nm并且脊12具有沙漏横截面的形状。Ž |
申请日期 | 2006-06-26 |
专利号 | JP2006261706A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | JP2006175906 |
公开(公告)号 | JP2006261706A |
IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
专利代理人 | 酒井 宏明 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73787 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 藪▲崎▼ 慶一,大久保 典雄. 半導体装置. JP2006261706A[P]. 2006-09-28. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2006261706A.PDF(107KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[藪▲崎▼ 慶一]的文章 |
[大久保 典雄]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[藪▲崎▼ 慶一]的文章 |
[大久保 典雄]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[藪▲崎▼ 慶一]的文章 |
[大久保 典雄]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论