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半导体激光元件及使用它的激光模块
其他题名半导体激光元件及使用它的激光模块
大久保敦; 冈田知; 藤本毅; 小矶武; 室清文; 大久保典雄; 大木泰
2006-10-04
专利权人古河电气工业株式会社
公开日期2006-10-04
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供半导体激光元件,其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式,具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构,且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡,是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件,设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时,则г与d之间满足下式:г/d≤3×10-3nm-1的关系。
其他摘要本发明提供半导体激光元件,其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式,具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构,且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡,是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件,设每1层阱层的光限制系数为г、1层阱层的厚度为d(nm)时,则г与d之间满足下式:г/d≤3×10-3nm-1的关系。
授权日期2006-10-04
申请日期2002-09-25
专利号CN1278464C
专利状态授权
申请号CN02819066.1
公开(公告)号CN1278464C
IPC 分类号H01S5/065 | H01S5/343 | H01S5/022 | H01S5/14 | H01S5/34
专利代理人包于俊
代理机构上海专利商标事务所有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43176
专题半导体激光器专利数据库
作者单位古河电气工业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大久保敦,冈田知,藤本毅,等. 半导体激光元件及使用它的激光模块. CN1278464C[P]. 2006-10-04.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN1278464C.PDF(1109KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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