Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 大久保 典雄 | |
| 1998-01-16 | |
| 专利权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 発光効率を向上させた半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 量子井戸活性層6と、それを両側から挟むn型クラッド層3およびp型クラッド層9とを有する半導体レーザ素子において、n型クラッド層3はキャリア濃度が1×1017cm-3以下であるAlGaAsからなり、前記n型クラッド層3と前記量子井戸活性層6の間に厚さが50nm以上のノンドープ中間半導体層としてAl0.2 Ga0.8 As光閉じ込め層4を介在させる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有增强的发射效率的半导体激光器元件。解决方案：半导体激光器元件包括量子阱有源层6，n型覆层3和夹着量子阱有源层6的p型覆层9.n型覆层3由具有载流子的AlGaAs构成浓度为1×10 17 cm -3，并且具有厚度为50nm或更大的Atl0.2 Ga0.8 As的光限制层4作为未掺杂的中间半导体层插入在n型覆层之间3和量子阱有源层6。 |
| 申请日期 | 1996-06-24 |
| 专利号 | JP1998012963A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996162253 |
| 公开（公告）号 | JP1998012963A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77274 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子. JP1998012963A[P]. 1998-01-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998012963A.PDF（18KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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