Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 大久保 典雄 | |
| 1997-08-19 | |
| 专利权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層にInGaAs歪み量子井戸を用い、CODを抑制した高出力の素子を提供する。 【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaAsクラッド層3、InGaAs歪量子井戸層を有する活性層6およびAlGaAsクラッド層9を順次積層してなる半導体レーザ素子において、前記活性層6に隣接してGaAsP障壁層5、7を設ける。 |
| 其他摘要 | 种类代码：A1提供一种高功率元件，其使用InGaAs应变量子阱用于有源层并抑制COD。 解决方案：在半导体激光器件中，其中AlGaAs包层3，具有InGaAs应变量子阱层的有源层6和AlGaAs包层9依次层叠在GaAs衬底1上，GaAsP提供阻挡层5和7。 |
| 申请日期 | 1996-02-08 |
| 专利号 | JP1997219557A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996022173 |
| 公开（公告）号 | JP1997219557A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/34 | H01S5/22 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88305 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子. JP1997219557A[P]. 1997-08-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997219557A.PDF（16KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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