Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 佐々木 康真; 大久保 典雄 | |
| 1999-05-11 | |
| 专利权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 光出力発振時における端面劣化が抑制され、信頼性の高い半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板の上に半導体のエピタキシャル成長層を積層して成り、劈開面3a,3bを発光端面とし、かつその劈開面が半導体のエピタキシャル成長膜6a,6bで被覆されているレーザ素子本体4の上面および下面に駆動電極5a,5bが装荷されている半導体レーザ素子において、少なくとも上面に装荷されている駆動電極5aがタングステンシリサイドから成り、前記エピタキシャル成長層6a,6bは550℃以上の温度で形成される。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光元件，其在光输出振荡时抑制端面劣化，因此可靠性高，并且制造。解决方案：具有驱动电极5a和5b的半导体激光元件，其装载在激光元件主体4的顶部和反面上，该激光元件主体4通过在半导体衬底上堆叠半导体的外延生长层并具有其解理表面3a而构成。在图3b和3b所示的发光端面覆盖有半导体的外延生长膜6a和6b时，至少装载在顶表面上的驱动电极5a由硅化钨形成，外延生长层6a和6b在550℃以上形成。 。 |
| 申请日期 | 1997-10-22 |
| 专利号 | JP1999126942A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997290111 |
| 公开（公告）号 | JP1999126942A |
| IPC 分类号 | H01L23/12 | H05K3/46 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 長門 侃二 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81775 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 康真,大久保 典雄. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1999126942A[P]. 1999-05-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999126942A.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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