Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光電子集積回路素子 | |
| 其他题名 | 光電子集積回路素子 |
| 大久保 典雄 | |
| 1997-08-15 | |
| 专利权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 公开日期 | 1997-08-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 GaAs基板上に形成された、光通信用波長領域における安定した光電子集積回路素子を提供する。 【解決手段】GaAs基板1上に光素子部8と電子素子部7を形成した光電子集積回路素子であって、光素子部8は受光素子部からなり、前記受光素子部の光吸収層5はGaAsN系化合物半導体で構成されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过使用指定的compd从光接收元件部件或发光元件部件组成光电元件部件并制作这些接收和发光元件部件的有源层，来提高指定波长范围内的可靠性。半导体。解决方案：在半绝缘GaAs衬底1上，未掺杂的GaAs缓冲层2，未掺杂的InGaAs沟道层3a，n-InGaP载流子馈送层3b，n + -GaAs接触层4，i-InGaAsN光吸收层5和非掺杂的外延生长InGaP帽层6。光电迁移率晶体管部分7形成为电子元件部分和光电二极管部分8，作为基板1上的光电元件部分。因此，可以获得高可靠性的光电集成电路元件，并且半导体激光元件可以显示出优异的温度。特性。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-02-01 |
| 专利号 | JP1997213918A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996016270 |
| 公开（公告）号 | JP1997213918A |
| IPC 分类号 | H01L29/812 | H01S5/026 | H01L29/778 | H01L27/144 | H01L27/14 | H01L21/338 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L27/15 | H01L33/10 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67846 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 光電子集積回路素子. JP1997213918A[P]. 1997-08-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997213918A.PDF（24KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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