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| 半導体発光素子の製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 发明人: 山口 恭司; 小林 俊雅; 喜嶋 悟; 小林 高志; 朝妻 庸紀; 浅野 竹春; 日野 智公 Adobe PDF(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:51/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28 发明人: 日野智公; 浅野竹春; 朝妻庸纪; 喜嶋悟; 船户健次; 富谷茂隆 Adobe PDF(1126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:97/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21 发明人: 冨谷 茂隆; 喜嶋 悟; 奥山 浩之; 谷口 理; 塚本 弘範 Adobe PDF(61Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999147798A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 发明人: 奥山 浩之; 喜嶋 悟; 左中 由美 Adobe PDF(51Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150333A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 发明人: 奥山 浩之; 喜嶋 悟; 小林 高志 Adobe PDF(61Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:65/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150332A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 发明人: 奥山 浩之; 喜嶋 悟 Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 化合物半導体層の成長方法および気相成長装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998200211A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31 发明人: 奥山 浩之; 喜嶋 悟 Adobe PDF(52Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体発光素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997293934A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11 发明人: 喜嶋 悟; 中山 典一; 石橋 晃 Adobe PDF(45Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体発光装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996097519A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12 发明人: 奥山 浩之; 石橋 晃; 加藤 豪作; 吉田 浩; 中野 一志; 浮田 昌一; 喜嶋 悟; 岡本 桜子 Adobe PDF(55Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2020/01/13 |