結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法

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	結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法
其他题名	結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法
	奥山浩之; 喜嶋悟; 左中由美
	1999-06-02
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-06-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】欠陥の少ない結晶層を成長させることができる結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板1の上にn型ZnMgSSe混晶よりなる第1導電型クラッド層3,ZnSSe混晶よりなる第1のガイド層4,ZnCdSe混晶よりなる活性層5,ZnSSe混晶よりなる第2のガイド層6,p型ZnMgSSe混晶よりなる第2導電型クラッド層7を順次成長させる。その際、成長表面をII族元素の面とVI族元素の面が共に存在する状態として成長させる。例えば、成長表面がRHEED観察におけるc(2×2)および(2×1)の双方が見られる状態として成長させる。具体的には、例えば亜鉛とセレンとの各粒子線の強度比を成長表面に到達する粒子線の量で亜鉛5〜7に対してセレンを5とする。これにより、欠陥のない結晶層を成長させることができる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够生长缺陷少的晶体层的晶体生长方法和半导体发光器件的制造方法。在基板1上形成由n型ZnMgSSe混晶构成的第一导电型包层，由ZnSSe混晶构成的第一引导层，由ZnCdSe混晶构成的有源层和ZnSSe混晶。依次生长由p型ZnMgSSe混晶制成的第二引导层6和第二导电型包层7。此时，生长表面生长为其中存在II族元素表面和VI族元素表面的状态。例如，生长表面生长为在RHEED观察中观察到c（2×2）和（2×1）的状态。具体地，例如，锌和硒的每个粒子束的强度比是到达生长表面的粒子束的量，并且对于锌5到7，硒被设定为5。结果，可以生长没有缺陷的晶体层。
主权项	-
申请日期	1997-11-14
专利号	JP1999147798A
专利状态	失效
申请号	JP1997314116
公开（公告）号	JP1999147798A
IPC 分类号	C02F11/00 \| H01L33/16 \| B28C7/00 \| C30B29/48 \| H01L21/365 \| H01S5/00 \| C30B23/08 \| H01L33/28 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64931
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	奥山浩之,喜嶋悟,左中由美. 結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法. JP1999147798A[P]. 1999-06-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999147798A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文