化合物半導体層の成長方法および気相成長装置

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	化合物半導体層の成長方法および気相成長装置
其他题名	化合物半導体層の成長方法および気相成長装置
	奥山浩之; 喜嶋悟
	1998-07-31
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1998-07-31
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】基板上にIII-V族化合物半導体層を成長させた後、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させる場合、それらのIII-V族化合物半導体層とII-VI族化合物半導体層との界面から発生する積層欠陥を大幅に低減することができる化合物半導体層の成長方法およびそれに用いる気相成長装置を提供する。【解決手段】第1の成長室1においてMBE法またはMOCVD法により基板5上にIII-V族化合物半導体層を成長させた後、基板5を搬送路3を通して第2の成長室2に搬送し、この第2の成長室2においてIII-V族化合物半導体層上にMBE法またはMOCVD法によりII-VI族化合物半導体層を成長させる場合に、搬送中の基板5の温度を300℃以上570℃以下に保ち、また、第2の成長室2におけるII-VI族化合物半導体層の成長開始前に基板5を480℃以上570℃以下に加熱する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种生长化合物半导体层的方法和用于其的气相生长装置，其中，当在基板上生长III-V族化合物半导体层然后生成II-VI族化合物半导体层时在其上生长层，在III-V族化合物半导体层和II-VI化合物半导体层之间的界面处发生的层叠缺陷显着减少。解决方案：在第一生长室1中，通过MBE（分子束外延）方法或MOCVD（有机金属化学气相生长）方法在衬底5上生长III-V族化合物半导体层，然后衬底5是通过传输通道3转移到第二生长室2，并且在第二生长室2中，通过MBE方法或MOCVD方法在III-V族化合物半导体层上生长II-VI化合物半导体层。这里，基板5保持在300-570℃，并且基板5被加热到480-570℃，然后在第二生长室2中开始生长II-V族化合物半导体层。
主权项	-
申请日期	1997-01-10
专利号	JP1998200211A
专利状态	失效
申请号	JP1997003390
公开（公告）号	JP1998200211A
IPC 分类号	H01L33/06 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63867
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	奥山浩之,喜嶋悟. 化合物半導体層の成長方法および気相成長装置. JP1998200211A[P]. 1998-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998200211A.PDF（52KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文