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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
发明人:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀;  浅野 竹春;  日野 智公
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半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
发明人:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次;  富谷茂隆
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氮基半导体激光器件和其生产方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19
发明人:  山口恭司;  小林高志;  小林俊雅;  喜岛悟;  富冈聪;  安斋信一;  东条刚
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半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
发明人:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範
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結晶成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999147798A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  奥山 浩之;  喜嶋 悟;  左中 由美
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150333A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  奥山 浩之;  喜嶋 悟;  小林 高志
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150332A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  奥山 浩之;  喜嶋 悟
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化合物半導体層の成長方法および気相成長装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998200211A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31
发明人:  奥山 浩之;  喜嶋 悟
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997293934A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11
发明人:  喜嶋 悟;  中山 典一;  石橋 晃
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996097519A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
发明人:  奥山 浩之;  石橋 晃;  加藤 豪作;  吉田 浩;  中野 一志;  浮田 昌一;  喜嶋 悟;  岡本 桜子
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