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| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁; 王新伟; 冯源; 王晓华; 马晓辉
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| 一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人: 魏志鹏; 方铉; 牛守柱; 唐吉龙; 王登魁; 房丹; 王海珠; 李金华; 楚学影; 马晓辉; 王晓华
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| 一种量子点LED封装结构及封装方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109755357A, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
发明人: 宿世臣; 王果; 杨欣; 章勇; 魏志鹏; 王晓华; 唐吉龙
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| 一种半导体激光器材料钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108288816A, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
发明人: 魏志鹏; 方铉; 唐吉龙; 贾慧民; 房丹; 李浩林; 李如雪; 郝永琴; 王晓华; 马晓辉
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| 一种窄线宽半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹; 牛守柱; 朱笑天; 李洋; 王晓华
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| 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
发明人: 方铉; 魏志鹏; 唐吉龙; 房丹; 贾慧民; 王登魁; 王菲; 李金华; 楚学影; 王晓华
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| 一种垂直腔面发射半导体激光器电极 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069423A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 方铉; 王新伟; 楚学影; 王登魁; 王菲; 冯源; 张晶; 王晓华
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华
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| 一种半导体光放大器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785915A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 张晶; 郝永芹; 王菲; 马晓辉; 王晓华
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