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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁;  王新伟;  冯源;  王晓华;  马晓辉
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一种垂直腔面发射半导体激光器电极 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069423A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  方铉;  王新伟;  楚学影;  王登魁;  王菲;  冯源;  张晶;  王晓华
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半导体激光照明光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102494299A, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人:  王新伟;  杨嘉琦;  石晓光;  周燕
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一种钙钛矿微型激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109193327A, 公开日期: 2019-01-11
发明人:  方铉;  魏志鹏;  唐吉龙;  李如雪;  贾慧民;  房丹;  冯源;  王新伟;  马晓辉
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