一种窄线宽半导体激光器

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	一种窄线宽半导体激光器
其他题名	一种窄线宽半导体激光器
	魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹; 牛守柱; 朱笑天; 李洋; 王晓华
	2018-05-18
专利权人	长春理工大学
公开日期	2018-05-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种2μm窄线宽锑化物半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种2μm锑化物半导体激光器结构，这种激光器结构制备在GaSb衬底上，由衬底往上依次为N型GaSb缓冲层、N型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92下限制层、N型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98下波导层、In0.15Ga0.85As0.02Sb0.98/Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98激光器有源区、P型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98上波导层、P型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92上限制层、P型GaSb盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备SiNx掩膜，利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元，采用电子束光刻在脊形波导两侧制作二阶光栅结构。通过在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元、在脊波导两侧制备二阶光栅结构，实现有效压窄激光线宽，提高激光器频率稳定性。
其他摘要	本发明公开了一种2μm窄线宽锑化物半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种2μm锑化物半导体激光器结构，这种激光器结构制备在GaSb衬底上，由衬底往上依次为N型GaSb缓冲层、N型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92下限制层、N型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98下波导层、In0.15Ga0.85As0.02Sb0.98/Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98激光器有源区、P型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98上波导层、P型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92上限制层、P型GaSb盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备SiNx掩膜，利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元，采用电子束光刻在脊形波导两侧制作二阶光栅结构。通过在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元、在脊波导两侧制备二阶光栅结构，实现有效压窄激光线宽，提高激光器频率稳定性。
申请日期	2018-01-03
专利号	CN108054634A
专利状态	申请中
申请号	CN201810000258.X
公开（公告）号	CN108054634A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/12
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73357
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	魏志鹏,唐吉龙,贾慧民,等. 一种窄线宽半导体激光器. CN108054634A[P]. 2018-05-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108054634A.PDF（92KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文