一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法

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	一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法
其他题名	一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法
	魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁; 王新伟; 冯源; 王晓华; 马晓辉
	2019-09-27
专利权人	长春理工大学
公开日期	2019-09-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×1019cm‑3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
其他摘要	本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×10¹⁹cm^‑3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
授权日期	2019-09-27
申请日期	2018-01-04
专利号	CN108183391B
专利状态	授权
申请号	CN201810006348
公开（公告）号	CN108183391B
IPC 分类号	H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38930
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	魏志鹏,贾慧民,唐吉龙,等. 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法. CN108183391B[P]. 2019-09-27.

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CN108183391B.PDF（349KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文