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| 一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人: 魏志鹏; 方铉; 牛守柱; 唐吉龙; 王登魁; 房丹; 王海珠; 李金华; 楚学影; 马晓辉; 王晓华
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| 一种半导体激光器的线束固定器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207853174U, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11
发明人: 房丹; 谷开慧; 李含; 梁明
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| 一种半导体激光器材料钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108288816A, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
发明人: 魏志鹏; 方铉; 唐吉龙; 贾慧民; 房丹; 李浩林; 李如雪; 郝永琴; 王晓华; 马晓辉
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| 一种窄线宽半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108054634A, 申请日期: 2018-05-18, 公开日期: 2018-05-18
发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹; 牛守柱; 朱笑天; 李洋; 王晓华
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| 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
发明人: 方铉; 魏志鹏; 唐吉龙; 房丹; 贾慧民; 王登魁; 王菲; 李金华; 楚学影; 王晓华
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华
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| 一种半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684700A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 王登魁; 王菲; 冯源; 李金华; 楚学影; 王晓华
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| 一种钙钛矿微型激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109193327A, 公开日期: 2019-01-11
发明人: 方铉; 魏志鹏; 唐吉龙; 李如雪; 贾慧民; 房丹; 冯源; 王新伟; 马晓辉
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