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半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102714393A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  丹下贵志;  冨谷茂隆
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半导体光发射装置以及一种装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修;  元木健作
Adobe PDF(3090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1203598C, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2005-05-25
发明人:  冨谷茂隆;  日野智公
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半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
发明人:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範
Adobe PDF(61Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997121073A, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06
发明人:  冨谷 茂隆;  小沢 正文;  伊藤 哲;  池田 昌夫
Adobe PDF(50Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体エピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996115877A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07
发明人:  冨谷 茂隆;  中野 一志;  伊藤 哲;  湊屋 理佳子
Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18
光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
发明人:  松元 理;  冨谷 茂隆;  中野 一志;  長井 政春;  伊藤 哲;  石橋 晃;  森田 悦男
Adobe PDF(108Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995273397A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
发明人:  中野 一志;  冨谷 茂隆
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半導体発光素子とその製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995170021A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04
发明人:  塚本 弘範;  冨谷 茂隆
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化合物半導体装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993335258A, 申请日期: 1993-12-17, 公开日期: 1993-12-17
发明人:  森田 悦男;  冨谷 茂隆;  山本 直;  石橋 晃
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