Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 冨谷 茂隆; 小沢 正文; 伊藤 哲; 池田 昌夫 | |
| 1997-05-06 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1997-05-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 低動作電圧で長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p型GaAs基板1上にp型Alx Ga1-x Asバッファ層2およびp型(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層3を順次積層し、その上にp型ZnSeバッファ層5、p型ZnMgSSeクラッド層7、p型ZnSSe光導波層8、ZnCdSe活性層9、n型ZnSSe光導波層10、n型ZnMgSSeクラッド層11などのII-VI族化合物半導体層を積層することにより構成される半導体発光素子において、p型(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層3とp型ZnSeバッファ層5との間にp型GaAs結晶欠陥発生抑制層4を設ける。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：使用高度可靠的II-VI化合物半导体提供具有低工作电压和长使用寿命的半导体发光元件。解决方案：在p型GaAs衬底1上依次形成p型Alx Ga1-x As缓冲层2和p型（Alx Ga1-x）y In1-y缓冲层3，然后形成II-VI化合物半导体层，即p型ZnSe缓冲层5，p型ZnMeSSe包层7，p型ZnSSe光波导层8，ZnCdSe有源层9，n型ZnSSe光波导层10，n在其上形成ZnMgSSe包覆层11等，以构成半导体发光元件。在这方面，在p型（AlxGa1-x）yIn1-y缓冲层3和p型ZnSe缓冲层5之间提供p型GaAs晶体缺陷抑制层4。 |
| 申请日期 | 1995-10-24 |
| 专利号 | JP1997121073A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995298914 |
| 公开（公告）号 | JP1997121073A |
| IPC 分类号 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74847 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨谷 茂隆,小沢 正文,伊藤 哲,等. 半導体発光素子. JP1997121073A[P]. 1997-05-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997121073A.PDF（50KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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