Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 中野 一志; 冨谷 茂隆 | |
| 1995-10-20 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 エピタキシャル成長半導体に周期的凹凸すなわちうねりが発生しても、内部損失の発生を効果的に回避する。 【構成】 (001)結晶面による化合物半導体基板1の1の面上に、II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長層による少なくともクラッド層例えば第1のクラッド層11および第2のクラッド層12と、活性層13を有する半導体レーザにおいて、その共振器長方向を〔1-10〕軸方向とする。 |
| 其他摘要 | 用途：即使在外延生长半导体中产生周期性不规则性，即波纹，也能有效地避免产生内部损耗。组成：在半导体激光器中，至少具有由II-VI族化合物半导体的外延生长层组成的包层，例如，第一包层11，第二包层12和有源层13根据（001）晶面的化合物半导体衬底1的发光（1），将谐振器的长度方向设定为方向[1-10]的轴。 |
| 申请日期 | 1994-03-30 |
| 专利号 | JP1995273397A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994061566 |
| 公开（公告）号 | JP1995273397A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84666 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,冨谷 茂隆. 半導体レーザ. JP1995273397A[P]. 1995-10-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995273397A.PDF（25KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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