Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半導体装置とその製造方法 | |
| 其他题名 | 化合物半導体装置とその製造方法 |
| 森田 悦男; 冨谷 茂隆; 山本 直; 石橋 晃 | |
| 1993-12-17 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 リンを含む化合物半導体装置において、1回の結晶成長によってキャリアの閉じ込めを行い得る構成とする。 【構成】 化合物半導体基板1の主面1Sが{001}結晶面から〈110〉結晶軸方向に傾けられた面より成り、この主面1S上に〈110〉結晶軸方向に沿う方向に延長するリッジ2もしくは溝を設け、化合物半導体基板1上に化合物半導体層10がエピタキシャル成長され、この化合物半導体層10の少なくとも一部をリンを含む半導体材料により構成し、これら化合物半導体層10に少なくとも{111}B結晶面を有する機能層(活性層5)を設けて構成する。 |
| 其他摘要 | 用途：通过在含磷的化合物半导体器件中形成一种晶体来实现载流子的容纳。组成：化合物半导体衬底1的主表面由倾斜于＆lt; 100＆gt;的表面组成。来自{001}晶体表面的晶轴方向和沿着＆lt; 110＆gt;的方向延伸的脊2或沟槽。在主表面上提供晶轴方向。化合物半导体层10外延地形成在化合物半导体衬底1上，并且化合物半导体层10的至少一部分由含磷的半导体材料构成。具有至少{111} B晶面的功能层（有源层5）被提供给化合物半导体层10。 |
| 申请日期 | 1992-06-03 |
| 专利号 | JP1993335258A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992142842 |
| 公开（公告）号 | JP1993335258A |
| IPC 分类号 | H01S5/223 | H01L29/06 | B82Y10/00 | H01S5/00 | B82Y20/00 | H01L29/80 | H01S5/22 | H01S5/323 | H01L21/205 | H01L33/00 | B82Y40/00 | H01S5/32 | H01L29/804 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87774 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 悦男,冨谷 茂隆,山本 直,等. 化合物半導体装置とその製造方法. JP1993335258A[P]. 1993-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993335258A.PDF（74KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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