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半導体発光素子とその製法
其他题名半導体発光素子とその製法
塚本 弘範; 冨谷 茂隆
1995-07-04
专利权人SONY CORP
公开日期1995-07-04
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 活性層とその近傍における不安定な格子歪の発生を効果的に回避して、信頼性にすぐれ、長寿命化をはかる。 【構成】 活性層5と、この活性層5を挟んでガイド層4,6を介して形成されたクラッド層3,7、あるいはこれらガイド層を介することなく形成されたクラッド層3,7とを有する半導体発光素子において、活性層5、またはこの活性層5とこれに隣接するガイド層4,6の厚さ方向の組成分布を均一とする構成とする。
其他摘要用途:有效避免在有源层和层附近产生不稳定的晶格应变,实现优异的可靠性和长寿命。组成:在具有有源层5和包层3.7的半导体发光元件中,包层3,7是通过夹住有源层5和插入引导层4,6或包层3.7而形成的,它们是在没有插入引导层的情况下形成的如图4,6所示,有源层5或有源层5和与有源层5相邻的引导层4,6的成分分布在厚度方向上均匀。
申请日期1993-12-15
专利号JP1995170021A
专利状态失效
申请号JP1993315525
公开(公告)号JP1995170021A
IPC 分类号H01L21/203 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00
专利代理人松隈 秀盛
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84932
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
塚本 弘範,冨谷 茂隆. 半導体発光素子とその製法. JP1995170021A[P]. 1995-07-04.
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JP1995170021A.PDF(60KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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