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半導体レーザ発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001284706A, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-10-12
发明人:  油利 正昭;  玉井 誠一郎;  伊藤 国雄;  数村 勝
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多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001284732A, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-10-12
发明人:  玉井 誠一郎;  伊藤 国雄;  数村 勝
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半導体装置及び光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001217500A, 申请日期: 2001-08-10, 公开日期: 2001-08-10
发明人:  伊藤 国雄;  上村 信行;  油利 正昭
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3040262B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-15
发明人:  今藤 修;  内藤 浩樹;  粂 雅博;  伊藤 国雄
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窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000049092A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
发明人:  伊藤 国雄;  石田 昌宏
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330547A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  伊藤 国雄;  石田 昌宏
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999298091A, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 1999-10-29
发明人:  伊藤 国雄;  橋本 忠朗
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2930213B2, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-08-03
发明人:  和田 優;  伊藤 国雄
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テ-パカツプリング素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2502494B2, 申请日期: 1996-03-13, 公开日期: 1996-05-29
发明人:  浜田 健;  渋谷 隆夫;  和田 優;  清水 裕一;  伊藤 国雄;  寺本 巖
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半導体レ-ザアレイ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995120834B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
发明人:  粂 雅博;  伊藤 国雄
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