半導体装置及び光ピックアップ装置

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	半導体装置及び光ピックアップ装置
其他题名	半導体装置及び光ピックアップ装置
	伊藤国雄; 上村信行; 油利正昭
	2001-08-10
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2001-08-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】複数の半導体レーザ素子を有する半導体装置において、半導体レーザ素子間の発光点間隔を小さくすると共に、半導体レーザ素子から発生する熱が他の半導体レーザ素子に及ぶことを防止する。【解決手段】シリコン基板上に凹部を形成すると共に、その凹部の中央付近に、斜面が(111)面、(1-11)面、(-1-11)面、(-111)面からなる四角錐台状の凸起を、シリコンプロセスを用いて形成する。これらの斜面のうち(111)外面、(111)内面を反射ミラー面とする。半導体レーザ素子をそれぞれ凹部の上に形成された小凸起の上に固定し、凸起の頂面に光ディスクからの戻り光ビームL1’、L2’を受光する受光素子を設ける。
其他摘要	要解决的问题：使半导体元件之间的发光点的间隔小并且防止由发热半导体激光器元件产生的热量对包括多个这种半导体激光器元件的半导体器件中的其他半导体层元件的影响。解决方案：在硅衬底中形成凹陷部分，然后形成四边形台面状投影，其倾斜面由（111）表面，（1-11）表面，（-1-11）表面和（-111）组成表面由硅工艺形成。在这些表面中，（111）表面的外表面和内表面用作反射镜。半导体激光器元件固定在形成于硅基板的凹陷部分中的小突起上，并且光电探测器安装在突起的顶面上，以从光盘接收返回光束L1'，L2'。
主权项	-
申请日期	2000-11-22
专利号	JP2001217500A
专利状态	失效
申请号	JP2000355583
公开（公告）号	JP2001217500A
IPC 分类号	G11B7/135 \| G11B7/13 \| H01S5/022 \| H01S5/40 \| G11B7/125
专利代理人	池内寛幸 (外5名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60546
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤国雄,上村信行,油利正昭. 半導体装置及び光ピックアップ装置. JP2001217500A[P]. 2001-08-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2001217500A.PDF（157KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文