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テ-パカツプリング素子の製造方法
其他题名テ-パカツプリング素子の製造方法
浜田 健; 渋谷 隆夫; 和田 優; 清水 裕一; 伊藤 国雄; 寺本 巖
1996-03-13
专利权人松下電器産業株式会社
公开日期1996-05-29
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To obtain a taper coupling element having a gentle inclination of a tapered part by forming a GaAlAs clad layer, GaAs core layer and GaAlAs cap layer on a (100)GaAs substrate and etching chemically these layers down to the core layer from above the cap layer thereby forming a step. CONSTITUTION:The Ga0.5Al0.5As clad layer, the GaAs core layer 3 and the Ga0.3Al0.7As cap layer 4 are successively formed on the (100)GaAs substrate These layers are chemically etched down to the boundary face of the layer 3 and the layer 2 in the direction to form the step. After the cap layer 4 is removed by selective etching, the Ga0.95Al0.05As core layer 5 and the Ga0.5Al0.5As clad layer 6 are grown, by which the taper coupling element having the gentle inclination of the taper part is obtd.
其他摘要目的:通过在(100)GaAs衬底上形成GaAlAs包层,GaAs芯层和GaAlAs盖层,并从上方将这些层化学蚀刻到芯层,以获得具有锥形部分的平缓倾斜的锥形耦合元件。盖层从而形成台阶。组成:Ga0.5Al0.5As包层,GaAs核心层3和Ga0.3Al0.7As帽层4连续形成在(100)GaAs衬底1上。这些层被化学蚀刻到下面的边界面。层3和层2在方向上形成台阶。在通过选择性蚀刻去除盖层4之后,生长Ga0.95Al0.05As芯层5和Ga0.5Al0.5As包层6,由此锥形部分具有平缓倾斜的锥形连接元件。
申请日期1984-08-01
专利号JP2502494B2
专利状态失效
申请号JP1984161858
公开(公告)号JP2502494B2
IPC 分类号G02B | H01S | G02B6/12 | G02B6/122 | G02B6/26 | H01S5/00
专利代理人滝本 智之 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47775
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
浜田 健,渋谷 隆夫,和田 優,等. テ-パカツプリング素子の製造方法. JP2502494B2[P]. 1996-03-13.
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