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| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子
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| 半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 玉村 好司; 田才 邦彦; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 山口 恭司; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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| 光拾取器和光学信息再现装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101527147A, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 2009-09-09
发明人: 中村俊辉; 木村茂治; 大西邦一; 杉山俊夫
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| 具有InP衬底的光半导体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100514774C, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15
发明人: 岸野克巳; 野村一郎; 玉村好司; 中村均
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| 半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3425185B2, 申请日期: 2003-05-02, 公开日期: 2003-07-07
发明人: 近藤 正彦; 魚見 和久; 中村 均
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| 半導体受発光装置及びその組立方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999346030A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
发明人: 嶋岡 誠; 中村 均; 芹沢 弘二; 松原 茂; 金谷 達憲; 山田 泰文; 橋本 俊和
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| 光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993129638A, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25
发明人: 花谷 昌一; 中村 均
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| 半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
发明人: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健
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