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半導体受発光装置及びその組立方法
其他题名半導体受発光装置及びその組立方法
嶋岡 誠; 中村 均; 芹沢 弘二; 松原 茂; 金谷 達憲; 山田 泰文; 橋本 俊和
1999-12-14
专利权人HITACHI LTD
公开日期1999-12-14
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】アクセス系光通信に使用する平面実装モジュールを実現するには、はんだ接合層の厚さ制御と確実な接合ができる構造を提供するところにある。 【解決手段】(1)はんだ厚さを制御し易くするため、すべてをAu-Snはんだにしないで、他の金属膜で厚さを確保する。この金属膜は、はんだ接合時溶解することはないので厚さを確保し易い。(2)はんだ面積を分割した構造とすることで応力低減を図る。(3)蒸着膜をアニールすることにより、膜強度を高くする。(4)はんだ厚を制御するため、はんだ接合部とは別の部分にはんだ厚調整用ニッケルの膜を設けることで変形、収縮を抑える
其他摘要要解决的问题提供一种能够控制焊料接合层厚度并确保接合的结构,以实现用于接入光通信的平面安装模块。 (1)为了易于控制焊料厚度,不是所有的Au-Sn焊料都使用,并且厚度由其他金属膜确保。由于该金属膜在焊料接合时不溶解,因此容易确保厚度。 (2)通过划分焊接区域来实现应力降低。 (3)通过对气相沉积膜进行退火来增加膜强度。 (4)为了控制焊料厚度,通过在与焊点部分不同的部分设置用于调整焊料厚度的镍膜,抑制变形和收缩
主权项-
申请日期1998-06-03
专利号JP1999346030A
专利状态失效
申请号JP1998154139
公开(公告)号JP1999346030A
IPC 分类号H01L31/02 | H01S5/042 | H01L31/12 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人作田 康夫
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51185
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
嶋岡 誠,中村 均,芹沢 弘二,等. 半導体受発光装置及びその組立方法. JP1999346030A[P]. 1999-12-14.
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