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光半導体装置
其他题名光半導体装置
花谷 昌一; 中村 均
1993-05-25
专利权人HITACHI LTD
公开日期1993-05-25
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 光ファイバ、ロットレンズ等の光導体と結合が容易でかつ広帯域特性を持つ光半導体装置を得る。 【構成】 半導体基板(2)上に光入力又は光出力方向が積層方向にたいし垂直である光電変換領域(3、4、5)を積層した光半導体装置において、上記基板(2)の光結合部に外部光導体端部(14)と密着挿入可能な整合光結合用穴(0)を設けた。 【効果】 光半導体装置と外部光導体とのアライメントが簡単となり、素子加工工程、モジュール化工程での生産時間、調整時間の短縮及び歩留まりが向上する。また外部光導体低下がロットレンズ、先端加工レンズのとき、光半導体装置の広帯域化が容易となる。
其他摘要目的:提供一种宽带光学半导体器件,可轻松耦合到光纤或棒状透镜。组成:光学半导体器件包括半导体衬底2,光电输入或输出方向上的光电区域3,4和5层叠在半导体衬底2上。基板设置有光电耦合部分,光电耦合部分具有对准孔0,外部光导体14紧密地配合在对准孔0中。该结构有利于光学半导体器件与光导体的对准,减少了生产和调整的时间,并提高了产量。另外,如果外部光导体是棒透镜或末端处理透镜,则可以容易地实现宽带应用。
申请日期1991-03-18
专利号JP1993129638A
专利状态失效
申请号JP1991052515
公开(公告)号JP1993129638A
IPC 分类号H01L | H01L33/60 | H01L31/10 | H01L33/58 | H01S | H01L33/40 | H01L31/0232 | H01L33/06 | H01L33/62 | H01L33/10 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/20 | H01L33/00 | H01S3/18
专利代理人薄田 利幸 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71046
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
花谷 昌一,中村 均. 光半導体装置. JP1993129638A[P]. 1993-05-25.
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