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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:
Lin, Tao
;
Sun, Hang
;
Zhang, Haoqing
;
Wang, Yonggang
;
Lin, Nan
;
Ma, Xiaoyu
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提交时间:2015/07/15
Laser Diode
Mocvd
Gaas
Inp
InAs/GaSb type-II superlattice grown by MOCVD for long-wavelength infrared detection
期刊论文
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2011, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 1017-1020
作者:
Xin, Liwei
;
Wang, Tao
;
Yang, Jin
;
Wang, Jingwei
;
Yin, Fei
;
Hu, Yanan
;
Jiao, Guohua
;
Zhang, Lichen
;
Yin, Jingzhi
;
Song, Zhenyu
Microsoft Word(386Kb)
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提交时间:2014/01/07
B1.inas/gasb
A3.superlattices
A3.source Flux Control
A3.mocvd
A1.pl Spectra
InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:
ChangYuchun
;
WangTao
;
YinFei
;
WangJingwei
;
SongZhenyu
;
WangYiding
;
YinJingzhi
;
Jingzhi Yin
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提交时间:2012/06/29
Inas/gasb Superlattices
Inassb Interface Layer
Growth Temperature
Lp-mocvd
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:
Yan Jun-Feng
;
Wang Tao
;
Wang Jing-Wei
;
Zhang Zhi-Yong
;
Zhao Wu
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提交时间:2010/01/12
Metalorganic Chemical Vapour Deposition (Mocvd)
Antimonides
Semiconducting Indium Compounds
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610
作者:
Peng Dong-Sheng
;
Feng Yu-Chun
;
Wang Wen-Xin
;
Liu Xiao-Feng
;
Shi Wei
;
Niu Han-Ben
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提交时间:2015/08/18
Surface Treated
Mocvd
Lateral Epitaxial Overgrown(Leo)
Gan Film
Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD
期刊论文
Proc. SPIE, 2006, 期号: 6029, 页码: 602912-1~6029126
作者:
Jingwei Wang
;
Yiding Wang
;
Tao Wang
;
Shuren Yang
;
Xiaoting Li
;
Jingzhi Yin
;
Xiaofeng Sai
;
SaiHongkai Gao
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提交时间:2010/01/14
Lp-mocvd
Mismatched
Gainassb
Surface Morphology
Remote Epitaxy and Exfoliation of GaN via Graphene
期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS
作者:
Han, Xu
;
Yu, Jiadong
;
Li, Zhenhao
;
Wang, Xun
;
Hao, Zhibiao
;
Luo, Yi
;
Sun, Changzheng
;
Han, Yanjun
;
Xiong, Bing
;
Wang, Jian
;
Li, Hongtao
;
Zhang, Yuantao
;
Duan, Bin
;
Ning, Jing
;
Wu, Haidi
;
Wang, Lai
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提交时间:2022/11/29
GaN
exfoliation
MOCVD
graphene
remote epitaxy
Influence of Graphene Stability on III-Nitride Remote Epitaxy for Exfoliation
期刊论文
ACS APPLIED NANO MATERIALS
作者:
Han, Xu
;
Yu, Jiadong
;
Yang, Peilong
;
Liu, Bo
;
Wang, Xun
;
Hao, Zhibiao
;
Luo, Yi
;
Sun, Changzheng
;
Han, Yanjun
;
Xiong, Bing
;
Wang, Jian
;
Li, Hongtao
;
Wang, Lai
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提交时间:2023/08/28
III-nitride
exfoliation
MOCVD
graphene
remote epitaxy