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InAs/GaSb超晶格体系非制冷红外探测材料研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2008
作者:  吴雷学
Microsoft Word(2308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：361/2  |  提交时间：2011/10/09
Mocvd  超晶格  俄歇复合  拉曼散射  界面层  原子力显微镜  表面形貌  光致发光  
基于预处理衬底GaN外延生长及器件研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
作者:  彭冬生
Adobe PDF(3496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：378/1  |  提交时间：2011/10/09
Gan  Mocvd  表面处理  发光二极管  
High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389
作者:  Wang, JX;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Li, JM;  Zeng, YP;  Hou, X;  Lin, LY
Adobe PDF(100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：241/0  |  提交时间：2015/11/09
Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：152/0  |  提交时间：2018/06/13
Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence  
Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:  Liang, JC;  Zhao, JL;  Gao, Y;  Dou, K;  Huang, SH;  Yu, JQ;  Gao, HK
Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：146/0  |  提交时间：2018/06/13
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:  ZHAO, JL;  GAO, Y;  LIU, XY;  DOU, K;  HUANG, SH;  YU, JQ;  LIANG, JC;  GAO, HK
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：155/0  |  提交时间：2018/06/13