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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101276990B, 申请日期: 2012-02-01, 公开日期: 2012-02-01
发明人:  畑雅幸;  竹内邦生;  德永诚一
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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101960683A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
发明人:  竹内邦生;  久纳康光;  畑雅幸
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集成型半导体激光元件及其制造方法和光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101938087A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05
发明人:  畑雅幸;  竹内邦生
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半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101789562A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28
发明人:  别所靖之;  大保广树;  竹内邦生;  德永诚一;  久纳康光;  畑雅幸
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010067868A, 申请日期: 2010-03-25, 公开日期: 2010-03-25
发明人:  畑 雅幸;  竹内 邦生;  太田 潔
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窒化物系半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009123939A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  別所 靖之;  竹内 邦生;  久納 康光
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窒化物系半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008294379A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04
发明人:  久納 康光;  竹内 邦生
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008294421A, 申请日期: 2008-12-04, 公开日期: 2008-12-04
发明人:  竹内 邦生;  久納 康光;  畑 雅幸
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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1215620C, 申请日期: 2005-08-17, 公开日期: 2005-08-17
发明人:  竹内邦生;  广山良治;  冈本重之;  富永浩司;  野村康彦;  井上大二朗
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半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1182637C, 申请日期: 2004-12-29, 公开日期: 2004-12-29
发明人:  井上大二朗;  广山良治;  竹内邦生;  野村康彦;  畑雅幸
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