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半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101478116B, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2012-01-25
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4726572B2, 申请日期: 2011-04-22, 公开日期: 2011-07-20
发明人:  井上 大二朗;  畑 雅幸;  別所 靖之
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半导体激光装置和光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101414732B, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2010-09-22
发明人:  井上大二朗;  别所靖之;  畑雅幸;  野村康彦
Adobe PDF(1758Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/12/26
半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100461564C, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤
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半导体激光器装置和它的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤
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半导体激光器装置和它的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤
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半导体激光元件和半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101030696A, 申请日期: 2007-09-05, 公开日期: 2007-09-05
发明人:  井上大二朗;  别所靖之;  畑雅幸
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窒化物系半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007150371A, 申请日期: 2007-06-14, 公开日期: 2007-06-14
发明人:  野村 康彦;  井上 大二朗;  畑 雅幸;  狩野 隆司
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006073644A, 申请日期: 2006-03-16, 公开日期: 2006-03-16
发明人:  井上 大二朗;  畑 雅幸;  別所 靖之
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半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1677781A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗
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