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氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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氮化物系半导体激光器元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102623892A, 申请日期: 2012-08-01, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  久纳康光
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氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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半导体激光装置和显示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102227853A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26
发明人:  畑雅幸;  久纳康光;  野村康彦;  中岛三郎
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半导体激光装置和显示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102171899A, 申请日期: 2011-08-31, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  畑雅幸;  久纳康光;  野村康彦;  中岛三郎
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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101960683A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
发明人:  竹内邦生;  久纳康光;  畑雅幸
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半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101789562A, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2010-07-28
发明人:  别所靖之;  大保广树;  竹内邦生;  德永诚一;  久纳康光;  畑雅幸
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